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摘 要:本发明提供一种含复合DBR的Ge基GaAs薄膜单结太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池的外延结构依次包括Ge衬底、GaAs缓冲层,AlGaAs/AlAs DBR,AlInP/AlGaInP DBR,AlGaAs背场层,GaAs n-基层,GaAs发射层,AlGaAs窗口层,GaAs电极接触层;其中,AlGaAs/AlAs DBR依次是可反射600nm、650nm、700nm三个波段光谱的反射层构成的复合结构,采用MOCVD法制得。本发明使用半导体GaAs薄膜材料生长代替常规的单晶硅、多晶硅太阳能电池,转换效率达25%,显著提高了GaAs薄膜单结太阳能电池转化效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210218156.8 | 专利名称: | 一种含复合DBR的Ge基GaAs薄膜单结太阳能电池及其制备方法 |
申请日: | 2012-06-28 | 申请/专利权人 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省潍坊市高新区金马路9号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0352搜分类 塑料 R 港口搜索 |
公开/公告日: | 2015-12-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103515462B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/10/16 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2020.09.23 专利权人由山东浪潮华光光电子股份有限公司变更为苏州胜信光电科技有限公司 地址由261061 山东省潍坊市高新区金马路9号变更为215200 江苏省苏州市吴江市松陵镇(八坼)经济开发区 |
2015/12/09 | 授权 | |
2014/02/19 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 31/0352 专利申请号: 201210218156.8 申请日: 2012.06.28 |
2014/01/15 | 公开 |