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摘 要:本发明属于半导体封装技术领域,具体的说是一种半导体晶圆扩晶工艺,包括如下步骤:用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭;硅锭制造完成后,对硅锭进行切片得到晶圆,接着进行对晶圆磨片和倒角;晶圆磨片和倒角之后,对晶圆进行化学和超声波清洗;晶圆清洗过后,利用晶圆扩晶器进行扩晶,扩晶的同时进行贴蓝膜。本发明主要用于扩晶自动化生产,工艺流程简单不复杂,速度快且省力,芯片间距可调,扩晶后芯片间距一致,大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810534754.3 | 专利名称: | 一种半导体晶圆扩晶工艺 |
申请日: | 2018-05-29 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/02搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/12/22 | 授权 | |
2020/12/11 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2020.11.30 申请人由李涵变更为阜阳市恒祥生产力促进有限公司 地址由210024 江苏省南京市西康路1号河海大学变更为236000 安徽省阜阳市颍泉区北京西路999号金府灯饰广场5楼 |
2018/10/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/02 专利申请号: 201810534754.3 申请日: 2018.05.29 |
2018/09/28 | 公开 |