发明专利 已授权

一种复合阳极结构金刚石肖特基二极管及其制备方法

📄 申请号:CN202510964048.2 📄 发布日:2026/11/05

著录项目信息

申请日
2025-07-14
公开号
CN120980895B
公开日
2026-07-31
申请人
江南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

功率电子器件, 电力电子变换, 高温电子设备, 高频微波器件, 新能源汽车

摘要

本发明公开了一种复合阳极结构金刚石肖特基二极管及其制备方法,该肖特基二极管包括欧姆电极、100晶向p型重掺杂单晶金刚石衬底、非故意掺杂金刚石层、磷掺杂金刚石层、高导电层、肖特基电极;非故意掺杂金刚石层被刻蚀成斜坡结构,磷掺杂金刚石层设置于刻蚀区域,高导电层设置于磷掺杂金刚石表面,实现高导电层和非故意掺杂金刚石层表面交替排列,从而在阳极引入交替的低势垒肖特基结和高势垒pn结,由于pn结与肖特基结的势垒高度不同,正向导通时,由低势垒肖特基结主导,导通电阻低;反向关断时,由高势垒pn结主导,反向击穿电压高。该制备方法引入两次自对准:未掩膜区域刻蚀与磷掺杂金刚石层生长和肖特基电极自掩膜刻蚀隔离,降低工艺复杂性。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H10D8_01)

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