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全部发明实用新型外观设计

法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

发明已授权

本发明涉及一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极N+区、阴极P‑well区、漂移区、埋氧层、衬底、阳极P+区、阳极P‑well区、阳极N‑buffer区、普通MOS金属栅极、普通MOS栅极氧化层、阳极N+区、阳极浮空N+区、沟道MOS金属栅极、阳极辅助MOS金属栅极、阳极浮空MOS金属栅极、沟道MOS栅极氧化层、阳极辅助MOS栅极氧化层和阳极浮空MOS栅极氧化层。本发明改善了器件的反向恢复性能和反向导通性能。

📄 2022105063124 📂 H10D84_60 👤 重庆邮电大学 📅 2022-05-10

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一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件

2022105063124 · 重庆邮电大学

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CRISPR基因编辑技术

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钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
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交易金额：¥50万/年

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