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本发明提供一种多芯片集成电路封装方法，涉及集成电路封装技术领域。一种多芯片集成电路封装方法，包括以下步骤：硅片回流、贴膜、硅片进行切割处理，然后在对硅片的载体进行转换，在进行焊剂铺垫，通过可控塌陷芯片焊接，去除芯片连接后残留在芯片和基片间的助焊剂，注塑前，去除芯片和基片上残余湿气，在芯片和基片间以及沿着芯片的周围，浇注液体环氧剂密封，最后将FCBGA1元件装入老化板进行老化检测剔除残次品。通过可控塌陷芯片焊接，使得球形凸点不变形，从而保证了芯片的完整性和性能，虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能，并且信号传输延迟小，适应频率和可靠性大大提高。