发明专利已授权

一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法

Name: 一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2017112987164
Availability: InStock

📄 申请号：CN201711298716.4 📄 发布日：2026/09/20

著录项目信息

申请日

2017-12-08

公开号

CN108052727A

公开日

2018-05-18

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F17_50

IPC 分类号

G06F17_50

技术画像

所属领域

半导体器件建模半导体器件建模集成电路设计半导体工艺仿真

应用场景

集成电路设计, 半导体制造, 芯片良率分析, 工艺仿真, 器件建模

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摘要

本发明涉及金属栅电容统计分布的估计方法。一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法，包括如下步骤：通过HSPICE软件，设定相关的变异参数，确定绝对标准偏差的大小，并进行10000次的蒙特卡罗仿真。提取MOSFET器件的栅电容参数C。将数据读取到MATLAB中并应用其统计工具箱，进行概率密度函数和累积概率函数拟合并表征；用假设检验判断统计的正确性。本发明利用密度函数、累计概率函数拟合并表征，使用假设检验判断，能在CMOS器件和电路设计早期，快速精确地预测由于MG‑WFV效应导致实际纳米器件和电路的制造性能变化的统计分布，以减少实际制造集成电路芯片性能的盲目性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210514

✅ 授权

20180612

?? 实质审查的生效：

20180518

📄 公开

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