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本发明提供一种制备高纯度α‑氮化硅粉的方法及高纯度α‑氮化硅粉，所述方法包括：在粒径为100微米以下级别的细硅粉中加入催化剂，所述催化剂能在制备氮化硅粉的反应条件下以可逆反应生成金属合化物，并使得具有金属卤化物存在；将加入了催化剂的细硅粉置于氮化炉中，在氮气和氩气的混合气氛下，于温度为1050℃‑1400℃的条件下保温50‑180小时，以发生氮化反应得到氮化硅粉。本发明所述的方法，通过以可逆反应形成可挥发金属卤化物的催化剂在粉末颗粒表面间往返输运，在多个位点反复起催化作用，以较少金属杂质充分催化表面反应的特殊效果，保障了产品的纯度，并提高了产物的α相含量，满足了高纯氮化硅粉的要求。

本发明提供氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，涉及氮化硅制备领域。该氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，包括以下内容，向反应容器中加入溶剂和四氯化硅，控制容器中的温度和压器，并向溶剂中融入液氨，并减小容器中的压强，使得液氨气化沸腾，扰动整个反应体系，获得氮化硅前驱体，接着将硅前驱体灼烧、粉碎和焙烧处理，获得氮化硅。通过将反应物充分接触，氮化硅前驱体生成效率高，且氮化硅前驱体的颗粒大小可以通过溶剂量和液氨通入气化的速度控制，利于对最终产品氮化硅粒度的控制。

本发明公开了一种用于氮化物前躯体的脱卤液及脱卤方法，属于无机非金属材料技术领域。本发明的脱卤液以液氨为溶剂，以有机碱为脱卤活性物质，脱卤活性物质占脱卤液总质量的0.05～0.5％。本发明的脱卤方法由氮化物前驱体在脱卤液中的搅拌脱卤、超声‑超细球磨强化脱卤、真空焙烧脱卤等步骤组成。本发明应用于氮化物前驱体中F、Cl、Br、I等卤素离子的脱除时，具有卤素离子脱除率高、操作过程简单、成本低等特点，在高纯氮化物材料的工业生产和制备领域应用前景广阔。