发明专利已授权

基于硅布拉格光栅F-P腔的力反馈式MEMS加速度计及制造方法

📄 申请号：CN202511440564.1 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2025-10-10

公开号

CN120908476B

公开日

2025-12-12

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01P15_08

IPC 分类号

G01P15_08

技术画像

所属领域

微机电传感器微机电传感器硅光子技术微纳加工

应用场景

消费电子, 惯性导航, 工业自动化, 振动监测

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摘要

本发明公开了基于硅布拉格光栅F‑P腔的力反馈式MEMS加速度计及制造方法，属于微电子机械系统技术领域。该力反馈式MEMS加速度计包括硅基F‑P腔MEMS敏感结构和玻璃电极基底，硅基F‑P腔MEMS敏感结构包括柔性梁、质量块、公共锚点、外围锚点、布拉格光栅F‑P敏感腔、信号传输光纤以及驱动梳齿；玻璃电极基底包括玻璃衬底和电极；硅基F‑P腔MEMS敏感结构将水平轴输入加速度转换为质量块的位移，导致一对反向布置F‑P敏感腔的腔隙发生反向漂移，引发F‑P腔干涉光信号的反相变换，实现加速度的高精度差分检测，该力反馈式MEMS加速度计具有灵敏度高、抗共模误差能力强、动态范围大、长期稳定性好的优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种应急通信网络的成帧时间与带宽分配联合优化方法

当前第 / 件

非理想混合气溶胶的吸湿性参数校正方法、系统及介质

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