发明专利已授权

一种低温制备硅/碳化硅材料的方法

📄 申请号：CN201910791606.4 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-08-26

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_963

IPC 分类号

C01B32_963 , C01B33_021 ,

技术画像

所属领域

硅基材料硅基材料碳化硅材料材料制备工艺

应用场景

半导体器件, 先进陶瓷, 新能源材料, 耐磨材料

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摘要

本发明涉及一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/碳化硅的方法。硅/碳化硅材料是近年来研究应用较广泛的一种新型材料,具有耐磨、耐腐蚀和耐高温等特点，在机械、化工和冶金等领域应用较多。目前，硅/碳化硅材料的制备工艺主要有无压液相烧结、热压烧结、反应烧结和先驱体转化法。上述方法的反应温度均大于1500℃，能耗大、成本高昂。本文提供了一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/碳化硅的方法，该方法在300℃就能发生反应。同时也捕捉了CO2气体，缓解了温室效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20211015

✅ 授权

20200114

?? 实质审查的生效：

20191220

📄 公开

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议价

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