发明专利 已授权

一种基于轨迹点和驻留时间优化的剪切增稠抛光方法

📄 申请号:CN202411795013.2 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2024-12-09
公开号
CN119260485A
公开日
2025-01-07
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

精密制造, 光学元件加工, 半导体制造, 模具加工, 表面光整加工

摘要

本发明公开了一种基于轨迹点和驻留时间优化的剪切增稠抛光方法,设定基于剪切增稠抛光装置的抛光工艺参数;构建剪切增稠抛光的空间材料去除足迹预测模型,该预测模型包括影响区域尺寸方程和材料去除量方程;测量待处理工件表面形貌得到测量点矩阵,并利用轨迹点生成算法得到抛光区域内的全部轨迹点;利用预测模型计算每个轨迹点的影响区域尺寸,以相邻轨迹点相接且不发生干涉为目标,优化得到轨迹点进给矩阵;对每个轨迹点进行驻留时间迭代,得到驻留时间矩阵;在剪切增稠抛光装置上使用轨迹点进给矩阵与驻留时间矩阵,对待处理工件进行抛光。本发明优化了轨迹点和驻留时间矩阵,提高了抛光精度、质量和效率。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:34 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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