本发明公开了一种用于剪切增稠抛光的确定性抛光方法及抛光装置,该方法部分包括:待加工表面的离散化,使用测量、插值方法以离散化的控制点坐标在计算机中表示待加工表面;抛光点可控材料去除矩阵计算策略,规划抛光点,对比待加工表面和目标表面,计算控制点位置的材料去除余量,计算各个抛光点的影响区域以及对控制点的影响,以相邻抛光点去除余量单点模型加权值为标准可控地合并抛光点,得到材料去除矩阵;迭代‑NNLS(非负最小二乘)联合驻留时间算法,对材料去除矩阵先使用迭代的方法计算抛光点的驻留时间,降低驻留时间求解结果的波动,再在此基础上使用NNLS(非负最小二乘)算法进一步提高结果的精度。
📄 2024118335677
📂 B24B1_00
👤 浙江工业大学
📅 2024-12-13
本发明公开了一种基于轨迹点和驻留时间优化的剪切增稠抛光方法,设定基于剪切增稠抛光装置的抛光工艺参数;构建剪切增稠抛光的空间材料去除足迹预测模型,该预测模型包括影响区域尺寸方程和材料去除量方程;测量待处理工件表面形貌得到测量点矩阵,并利用轨迹点生成算法得到抛光区域内的全部轨迹点;利用预测模型计算每个轨迹点的影响区域尺寸,以相邻轨迹点相接且不发生干涉为目标,优化得到轨迹点进给矩阵;对每个轨迹点进行驻留时间迭代,得到驻留时间矩阵;在剪切增稠抛光装置上使用轨迹点进给矩阵与驻留时间矩阵,对待处理工件进行抛光。本发明优化了轨迹点和驻留时间矩阵,提高了抛光精度、质量和效率。
📄 2024117950132
📂 B24B1_00
👤 浙江工业大学
📅 2024-12-09