发明专利已授权

离子植入机

📄 申请号：CN201811056894.0 📄 发布日：2026/07/30

著录项目信息

申请日

2018-09-11

公开号

CN109192646B

公开日

2020-12-08

申请人

上海骏达行知信息科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01J37_32

IPC 分类号

H01J37_32

技术画像

所属领域

离子注入设备离子注入设备半导体制造设备半导体掺杂工艺

应用场景

半导体制造, 集成电路, 芯片制造

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摘要

本发明涉及半导体设备制造技术领域，公开了一种离子植入机，其中离子植入机包括：离子源结构，离子源结构所采用的离子源为电感耦合等离子体源；分析磁体，与离子源结构连接，能够接收离子源结构提供的植入离子束，并分离得到植入离子束；价态转换装置，与分析磁体连接，能够接收从分析磁体出射的植入离子束，并对植入离子束中离子的价态进行转化。本发明提供的离子植入机的离子源结构通过电感耦合等离子技术形成需要植入的等离子体。由于在离子源结构的整个工作过程中不需要金属器件参与，因此从源头减少了金属离子的产生。并且通过价态转换装置能够对植入离子束中的离子的价态进行转化，从而提高离子植入机的适用性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20251017

?? 专利权的转移：

20230110

?? 专利权的转移：

20201208

✅ 授权

20190212

?? 实质审查的生效：

20190111

📄 公开

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