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发明专利
已授权
基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管及其制备方法
📄 申请号:CN201910400569.X
📄 发布日:2026/07/27
著录项目信息
申请日
2019-05-14
公开号
CN110120467A
公开日
2019-08-13
申请人
南京邮电大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L51_54
IPC 分类号
H01L51_54
,
H01L51_56
,
技术画像
所属领域
钙钛矿材料
钙钛矿材料
发光二极管
薄膜光电器件
应用场景
显示器件, 照明设备, 光电器件, 柔性电子
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摘要
本发明公开了基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管,包括由下向上依次顺序层叠的氧化铟锡玻璃基底、空穴传输层、FABr层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极。本发明的优点是:通过采用在空穴传输层与钙钛矿发光层之间预旋涂FABr层,使钙钛矿发光二极管的性能得到了有效提升。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种基于双发光层的钙钛矿发光二极管及其制备方法
当前第 / 件
力矩姿态无线传感器的数据融合处理系统及处理方法
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H01L51_56
覆盖
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📌 交易状态:
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