发明专利已授权

一种基于双发光层的钙钛矿发光二极管及其制备方法

📄 申请号：CN201910400329.X 📄 发布日：2026/07/27

著录项目信息

申请日

2019-05-14

公开号

CN110120457B

公开日

2021-09-14

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_50

IPC 分类号

H01L51_50 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

钙钛矿发光二极管钙钛矿发光二极管光电器件薄膜制备工艺

应用场景

显示器件, 照明器件, 发光器件, 光电器件, 光电显示

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摘要

本发明公开了一种基于双发光层的钙钛矿发光二极管，包括由下向上依次顺序层叠的氧化铟锡玻璃基底、空穴传输层、钙钛矿发光层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极。本发明的优点是：钙钛矿发光二极管的制备成本低且器件性能提升明显。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于Stackelberg博弈的多任务协作频谱感知方法

当前第 / 件

基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L51_50)

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