发明专利 已授权

一种导模法生长晶体的结晶界面确定方法和装置

📄 申请号:CN202411074055.7 📄 发布日:2026/07/24

著录项目信息

申请日
2024-08-07
公开号
CN118581565B
公开日
2024-10-18
申请人
西安交通大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

晶体材料制备, 半导体单晶生长, 蓝宝石晶体生长, 光学晶体制造, 晶体生长过程监控

摘要

本发明提供了一种导模法生长晶体的结晶界面确定方法和装置,涉及晶体生长技术领域。所述方法包括:在目标计算域的温度不平衡的情况下,对目标计算域进行稳态计算,得到温度场;在三维非轴对称结晶界面的温度不满足预设条件的情况下,获取计算参数并根据计算参数,计算目标网格节点的移动参数;按照移动参数,控制目标网格节点进行移动,得到调整后的三维非轴对称结晶界面;在目标计算域的温度平衡、三维非轴对称结晶界面的温度满足预设条件时,将三维非轴对称结晶界面确定为目标结晶界面。本发明实施例实现了目标结晶界面的确定,提高了基于目标结晶界面对目标晶体的生长过程进行控制的准确性。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (C30B15_22)

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:60 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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