发明专利已授权

一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法及其应用

📄 申请号：CN201610300455.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-05-09

公开号

CN105914299A

公开日

2016-08-31

申请人

浙江海洋大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_48

IPC 分类号

H01L51_48 , H01L51_42 ,

技术画像

所属领域

透明导电薄膜透明导电薄膜掺杂氧化物半导体薄膜制备工艺

应用场景

太阳能电池, 平板显示, 触控屏, 发光二极管, 透明电子器件

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摘要

本发明涉及一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法，ITO/AZO薄膜一/AZO薄膜二/AZO薄膜三/P3HT:PCBM，作为倒结构聚合物太阳电池中的电子传输层，不但能够提高AZO薄膜的结构特性，提高AZO薄膜导电性的纵向均匀性，而且在大气环境下即可制备完成，有效降低电池内部载流子复合机率，显著提高电池短路电流密度和填充因子，实现电池光电转换效率的大幅提升。特别是该方法简单易行，与商业化大面积生产制备工艺兼容，从而能够加快倒结构聚合物太阳电池的产业化进程，满足社会需求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基板的表面处理工艺

当前第 / 件

一种高长径比水合及无水硼酸钙纳米晶须的温和水热-热转化合成方法

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