发明专利已授权

一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法

📄 申请号：CN201610685274.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-08-18

公开号

CN106354904A

公开日

2017-01-25

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F17_50

IPC 分类号

G06F17_50

技术画像

所属领域

硅通孔技术硅通孔技术半导体器件建模参数提取方法

应用场景

三维集成电路, 先进封装, 半导体器件设计

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摘要

本发明公开一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法。本发明包括沿着硅通孔传输方向的阻抗单元以及在内部导体和外部环形屏蔽层之间的导纳单元。阻抗单元包括电阻RTSV1、电阻RTSV2、电感LTSV1、电感LTSV2，以及互感MTSV，导纳单元主要包括电容Cox1、电容Cox2、电容Cdep1、电容Cdep2、电容CSi、电导GSi。阻抗单元中电阻与电感串联起，而导纳单元中耦合电容与电导并联起，导纳单元将内部导体的阻抗单元和外部屏蔽层的阻抗单元连接起来，组成H型结构的等效电路模型，基于该模型即可得到同轴硅通孔的信号传输特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：40 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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