摘要
本发明公开一种高铌TiAl合金片层结构细化的方法,将高铌TiAl合金置于保护气体中;加热至β单相区,保温2~5min,然后降温至两相区(β+α)保温10s~30s;之后进行真应变量为40%~60%的变形处理,然后进行淬火;将经过淬火的高铌TiAl合金以5℃/min~10℃/min升温至700~900℃保温3~5小时在进行随炉冷却至室温;在低温时效时γ片层在晶界和层错处析出,片层间距将达到10nm,两相区进行变形处理不仅可以细化片层团尺寸也可以细化片层间距,细化效果更加明显;本发明的周期较短,工艺流程简单,加热、降温、变形以及冷却至室温整个过程耗时较热处理将减少超过12小时,相应的合金在高温区域保温时间大幅度缩短,减少晶粒粗化,且晶粒细化更加均匀,过程简单可以节省成本,力学性能更加优异。