发明专利已授权

单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法

📄 申请号：CN201910232656.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-03-26

公开号

CN110061727A

公开日

2019-07-26

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H03K17_22

IPC 分类号

H03K17_22 , H03K17_78 , H03K5_13 ,

技术画像

所属领域

单光子雪崩二极管单光子探测技术淬灭/复位电路雪崩光电二极管单光子雪崩二极管

应用场景

量子通信, 激光雷达, 单光子计数成像, 生物荧光探测, 高速光通信

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管。第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20231226

?? 专利权的转移：

20200421

✅ 授权

20190820

?? 实质审查的生效：

20190726

📄 公开

一种丛林越野式喷淋机器人及其方法

当前第 / 件

光学元件表面形貌及亚表面缺陷信息的检测方法及其装置

同领域国内专利 · IPC: (H03K17_22)

H03K17_04 H03K17_041 H03K17_042 H03K17_081 H03K17_0812 H03K17_082 H03K17_13 H03K17_16 H03K17_22 H03K17_28 H03K17_51 H03K17_56 H03K17_567 H03K17_687 H03K17_72 H03K17_78 H03K17_785 H03K17_90 H03K17_94 H03K17_945 H03K17_96 H03K17_965 H03K17_969 覆盖23个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：32 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)