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本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种具有双重保护功能的GaN半桥驱动器。该驱动器是在传统电容耦合产生负压的基础上，利用高K介质功率器件能够根据不同控制信号切换至相应工作模式，使其适用各种不同电压等级的驱动中这一特点，通过外部输入的控制信号控制高K介质功率器件的工作模式和耦合电容的充放电，使第一耦合电容稳定的产生负压，有效防止GaN功率管误开启。克服了传统电容耦合产生负压时，电容电荷且容易受到扰动而导致负压消失的问题。且本发明无需外接负压或内部降压转换器集成，一方面免去了传统的外加负压带来的大功耗和开关干扰造成的稳定性问题，另一方面降低了结构复杂度，节省版图面积，减小成本。