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本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。

本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管。第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。

本发明公开了一种基于MTJ的非易失可编程开关，包括读写接口电路、MTJ写电路、MTJ单元、MTJ读电路、驱动电路、开关元件。读写接口电路与MTJ写电路控制端相连接；MTJ写电路的输出端与MTJ单元相连接；MTJ单元同时与MTJ读电路的输入端相连；MTJ读电路的输出端分别与读写接口模块和驱动电路输入端相连接；驱动电路输出端与开关元件控制端相连接。本发明采用MTJ作为非易失可编程存储单元具有数据读写速度快、几乎无限次擦写、抗辐射能力强等优势。本发明的开关具有结构简单、成本低廉、响应速度快等优点，能够显著降低开关系统对于控制器的资源占用，并可有效提高开关系统稳定性。

本发明公开了一种芯片上电复位电路，包括采样单元、控制单元，所述控制单元和采样单元连接，采样单元用于采集芯片上电时的电压及将其反馈到控制单元上，控制单元基于采样单元的反馈及芯片的工作电压范围反馈芯片复位信号，控制单元包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第二运算放大器、第七运算放大器，所述第九电阻一端、第十三电阻一端和电源连接，第九电阻另一端和第十电阻一端、第二运算放大器同相端连接，第二运算放大器反相端和第八电阻一端连接，第二运算放大器输出端和第八电阻另一端连接，第十三电阻另一端和第十四电阻一端、第七运算放大器同相端连接。