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本发明属于电子电路技术领域，涉及一种具有快速开启功能的GaN驱动器。是基于横向绝缘栅多模式晶体管工作在强导通状态时，其钳位能力将阳极至阴极之间的电压钳位在低于GaN器件的栅极阈值电压和大电流这一特点，配合一个用于提供上拉电流的PMOS管、一个下拉NMOS管，实现GaN功率器件的快速开启和关闭。当扰动耦合到低侧时，基于横向绝缘栅多模式晶体管的大电流能力和阳极至阴极钳位能力，保证驱动电路不受到功率级的串扰；在面对电压尖峰问题时，基于横向绝缘栅多模式晶体管的钳位能力，通过在开启信号到来之前增加一个预充电阶段来控制电压尖峰，相较于传统开启信号到来之后才开始驱动的方案，具有更小的尖峰。