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本发明公开了一种双向可控硅低温触发装置的技术，该触发装置包括光电耦合器电路、共射极放大器电路、220V市电电路、市电降压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路、限流电路、双向可控硅电路、负载电路；光电耦合器电路的输出连接共射极放大器电路，220V市电的P1端经降压电路降压、整流电路整流、滤波电路滤波、稳压二极管稳压为晶体管T1供电，晶体管T1的集电极通过由电阻R2构成的限流电路连接可控硅Triac的栅极，220V市电通过RL连接Triac的第一阳极A1，电容C1的正端、二极管D2的负端、Triac的第二阳极A2同时连接220V市电电路的P2端，构成一个双向可控硅低温触发装置。

本发明属于电子技术领域，具体的说涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明包括由直流电源VD、第一CS‑MCT(T1)、负载(ZL)构成的主回路、由第二CS‑MCT(T2)，第一电容(C1)和第二电容(C2)，变压器(T)，电阻(R)，二极管(D)构成的换流回路、由压敏电阻(MOV)构成的保护单元、由霍尔电流传感器和电压比较器构成的监测单元和栅极控制单元。其特点是：采用内部固有寄生晶闸管，具有低导通电阻、高di/dt能力的CS‑MCT作为半导体开关，结合监测单元和栅极控制单元可以实现故障电流的迅速中断。与传统固态断路器相比，基于CS‑MCT的固态短路器不仅具有中断故障电流的能力，而且具有功耗低，响应速度快的优势。

本实用新型提供一种反并联可控硅触发器，涉及触发器技术领域，所述反并联可控硅触发器包括：采样单元，采样单元与外部的交流电源连接，用于对交流电源进行交流正弦波信号采集；处理器单元，处理器单元与采样单元连接，用于对交流正弦波信号进行交流过零点检测，并且产生高频脉冲信号；高频脉冲输出单元，高频脉冲输出单元与处理器单元连接，用于将高频脉冲信号输出到外部的反并联可控硅。本实用新型根本交流正弦波信号曲线，巧妙采样交流正弦波信号的交流过零点，在高频脉冲输出时，延长一定的时间，达到调压目的，由此，调压、调相的占空比可以通过通讯和其他方式实现，不仅成本降低、结构简单、灵活性大，更能方便系统集成、配制。