发明专利已授权

一种提升电源抑制比的带隙基准源

📄 申请号：CN201810511655.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-25

公开号

CN108563280A

公开日

2018-09-21

申请人

成都信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F1_567

IPC 分类号

G05F1_567

技术画像

所属领域

模拟集成电路模拟集成电路基准电压源电源管理电路

应用场景

集成电路设计, 电源管理, 传感器信号处理, 数据转换器, 射频收发机

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摘要

一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：29 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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