发明专利已授权

一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型-碳化硅微纳粉体的方法

📄 申请号：CN202110036787.7 📄 发布日：2026/06/16

著录项目信息

申请日

2021-01-12

公开号

CN112777598B

公开日

2022-06-21

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_984

IPC 分类号

C01B32_984 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

碳化硅材料碳化硅材料粉体制备碳热还原

应用场景

先进陶瓷, 半导体材料, 磨料磨具, 复合材料增强

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摘要

本发明公开了一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型‑碳化硅微纳粉体的方法。硅粉与可膨胀石墨按比例进行配料、混合均匀，获得混合原料；将混合原料通过坩埚以及由石墨纸、耐火棉、石墨粉组成的覆盖层埋碳封装；将埋碳后物料坩埚放入高温烧结炉中，高温发生碳热还原反应；待物料完全冷却后，将坩埚取出，去除覆盖层后得到碳化硅粉体，将碳化硅粉体放入马弗炉中在氧气氛围中高温煅烧；以球磨等方式进行分散；碳化硅粉体经酸洗、水洗后得到β型‑碳化硅微纳粉体。本发明采用高温埋碳碳热还原方式制备的β型‑碳化硅微纳粉体为微纳米级，一级粉体提纯细化后产率高，且工艺简单、成本低，适宜大规模工业化生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220621

✅ 授权

20210528

?? 实质审查的生效：

20210511

📄 公开

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