发明专利已授权

一种低氧杂质含量的单晶炉

📄 申请号：CN202111028089.9 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-09-02

公开号

CN113638038A

公开日

2021-11-12

申请人

华东交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B15_00

IPC 分类号

C30B15_00 , C30B29_06 ,

技术画像

所属领域

单晶生长设备单晶生长设备晶体生长炉热场控制技术

应用场景

半导体单晶硅制备, 光伏硅片生产, 集成电路材料制造, 电子级硅材料生长

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摘要

本发明公开了一种降低炉内氧杂质的单晶炉，主要涉及起保温以及引导气流作用的导流筒。该导流筒由中心保温结构和支撑结构组成。导流筒底部到熔体的距离由内向外逐渐减小，同时导流筒底部与熔体形成通道的径向横截面积保持不变。本发明中导流筒设计，利于移除单晶炉内熔体自由液面处一氧化硅杂质气体，有效降低单晶炉内氧杂质，最终获得高质量的半导体单晶。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

回油压力连续可调的负载口独立控制系统

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