单晶生长设备 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

发明已授权

本发明公开了一种降低炉内氧杂质的单晶炉，主要涉及起保温以及引导气流作用的导流筒。该导流筒由中心保温结构和支撑结构组成。导流筒底部到熔体的距离由内向外逐渐减小，同时导流筒底部与熔体形成通道的径向横截面积保持不变。本发明中导流筒设计，利于移除单晶炉内熔体自由液面处一氧化硅杂质气体，有效降低单晶炉内氧杂质，最终获得高质量的半导体单晶。

📄 2021110280899 📂 C30B15_00 👤 华东交通大学 📅 2021-09-02

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一种低氧杂质含量的单晶炉

2021110280899 · 华东交通大学

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