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发明专利
已授权
一种双向可控硅低温触发装置
📄 申请号:CN202010006632.4
📄 发布日:2026/08/06
著录项目信息
申请日
2020-01-03
公开号
CN111010160A
公开日
2020-04-14
申请人
山西工程技术学院; 崔建国
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H03K17_72
IPC 分类号
H03K17_72
技术画像
所属领域
半导体器件
半导体器件
功率半导体
触发控制电路
应用场景
低温电子设备, 电力电子变换器, 工业电机控制, 航天与极地装备, 新能源电力转换
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摘要
本发明公开了一种双向可控硅低温触发装置的技术,该触发装置包括光电耦合器电路、共射极放大器电路、220V市电电路、市电降压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路、限流电路、双向可控硅电路、负载电路;光电耦合器电路的输出连接共射极放大器电路,220V市电的P1端经降压电路降压、整流电路整流、滤波电路滤波、稳压二极管稳压为晶体管T1供电,晶体管T1的集电极通过由电阻R2构成的限流电路连接可控硅Triac的栅极,220V市电通过RL连接Triac的第一阳极A1,电容C1的正端、二极管D2的负端、Triac的第二阳极A2同时连接220V市电电路的P2端,构成一个双向可控硅低温触发装置。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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