发明专利已授权

表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202410508381.8 📄 发布日：2026/07/30

著录项目信息

申请日

2024-04-26

公开号

CN118083956B

公开日

2024-06-28

申请人

南京智产源智能科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_10

IPC 分类号

C01B32_10 , H01M4_583 , H01M4_587 , H01M4_62 , H01M4_36 , H01M6_14 ,

技术画像

所属领域

电池材料电池材料氟化碳材料电极材料

应用场景

锂电池, 一次电池, 储能系统, 电化学电源

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摘要

本发明属于氟化碳材料技术领域，公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为：于惰性气氛中，将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理，获得混合物；于惰性气氛中，将所述混合物于200~500℃下进行热处理，即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理，使氮源在热处理过程中分解产生气体，成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳，降低了表面C‑F共价键和C‑F2\C‑F3非活性基团，形成了高导电石墨畴界面，引入适当的缺陷和氮掺杂，显著提升氟化碳的离子/电子导电性，降低锂/氟化碳一次电池的初始电压滞后性，提高放电电压平台。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20251230

?? 专利权的转移：

20240628

✅ 授权

20240614

?? 实质审查的生效：

20240528

📄 公开

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