发明专利已授权

使光刻线条变窄的方法及光刻机

📄 申请号：CN202110253880.3 📄 发布日：2026/03/27

著录项目信息

申请日

2021-03-09

公开号

CN112882355A

公开日

2021-06-01

申请人

上海大溥实业有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G03F7_20

IPC 分类号

G03F7_20

技术画像

所属领域

光刻工艺光刻工艺半导体制造

应用场景

集成电路制造, 芯片制造, 半导体器件加工

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摘要

本发明涉及光刻技术领域，具体来说是一种使光刻线条变窄的方法及光刻机，进行至少两次曝光，以在所述的至少两次曝光的重叠部分形成所需的光刻部。本发明同现有技术相比，组合结构简单可行，其优点在于：原创性地设计了使光刻线条变窄的方法，通过至少两次的先后曝光，在曝光的重叠部分形成所需的光刻部，其能够克服现有技术的不足满足纳米级的曝光需求，且有助于降低光刻工艺的成本；还设计了实现掩膜版位移的具体方法和设备结构，实现了纳米级和亚纳米级的掩膜版位移。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种英语语音的翻译模糊匹配系统

当前第 / 件

一种会计用裁切装置及其使用方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：134 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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