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本发明公开了一种高深度比光刻胶图形处理方法，基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连，将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔，把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔，在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属-氧化学键，最后吹扫去除多余反应物和副产物，增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。本发明极大增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，用时很短，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属/类金属-氧化学键，不会引入新污染。

本发明涉及光刻技术领域，具体来说是一种使光刻线条变窄的方法及光刻机，进行至少两次曝光，以在所述的至少两次曝光的重叠部分形成所需的光刻部。本发明同现有技术相比，组合结构简单可行，其优点在于：原创性地设计了使光刻线条变窄的方法，通过至少两次的先后曝光，在曝光的重叠部分形成所需的光刻部，其能够克服现有技术的不足满足纳米级的曝光需求，且有助于降低光刻工艺的成本；还设计了实现掩膜版位移的具体方法和设备结构，实现了纳米级和亚纳米级的掩膜版位移。