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发明专利
已授权
一种光电探测器阵列制备方法
📄 申请号:CN202010152180.0
📄 发布日:2025/12/10
著录项目信息
申请日
2020-03-06
公开号
CN111341918B
公开日
2022-02-01
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L51_48
IPC 分类号
H01L51_48
,
H01L51_42
,
H01L51_46
,
H01L27_30
,
技术画像
所属领域
光电探测器
光电子器件
半导体器件
探测器制造工艺
光电探测器
应用场景
光通信, 光学成像, 环境监测, 医疗诊断, 工业检测
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摘要
本发明公开了一种光电探测器阵列制备方法,属于光电材料与器件技术领域,目的在于解决钙钛矿薄膜器件小型化、图形化的问题。其包括以下步骤:S1、首先对石英玻璃基底进行清洗,再对其表面进行处理;S2、对组分为Ti3C2Tx的MXene胶体溶液进行制备,并将制备好的MXene溶液旋涂在S1处理后的石英玻璃基底上成膜;S3、用激光直写对S2中得到涂覆有MXene薄膜的石英玻璃基底进行第一次沟道刻划;S4、在S3处理后的石英玻璃基底上制备钙钛矿吸收层;S5、采用激光直接对S4处理后的样品进行第二次刻划,去移除多余的钙钛矿吸收层;S6、采用激光直写对S5处理后的样品进行第三次刻划,分离出像素单元,形成钙钛矿成像阵列。本发明适用于光电探测器阵列制备方法。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
基于IDTCM的遥感地表温度时间归一化方法
当前第 / 件
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委托待转让
📌 交易状态:
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