发明专利已授权

一种硅基发光二极管的制备方法

📄 申请号：CN202011421025.0 📄 发布日：2026/04/14

著录项目信息

申请日

2020-12-08

公开号

CN112510162B

公开日

2022-03-08

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_50

IPC 分类号

H01L51_50 , H01L51_52 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

半导体发光器件半导体发光器件硅基光电子发光二极管制备

应用场景

光通信, 显示技术, 照明设备, 光电子集成

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摘要

本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，所述硅基发光二极管从下至上依次为氧化硅片衬底，Au薄膜阳极，PEDOT：PSS空穴传输层，PVP下界面修饰层，准二维钙钛矿BA2Csn‑1PbBr3n+1发光层，PS上界面钝化层，Bphen电子传输层，半透明Ag薄膜阴极。本发明采用具有绝缘特性的超薄高分子聚合物层有效降低了准二维钙钛矿层的激子发光淬灭；利用高反射率Au底电极和半透明Ag顶电极形成微腔结构增强上表面光输出耦合，通过低成本溶液法在硅基上直接制备了高稳定性的钙钛矿发光二极管，同时也避免了传统硅基异质集成中直接外延生长和晶片键合等复杂工艺，为硅基片上光互联、单片集成光电芯片等应用提供了可行性方案。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220308

✅ 授权

20210402

?? 实质审查的生效：

20210316

📄 公开

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