发明专利已授权

一种自校正的IGBT健康监测方法

📄 申请号：CN202011312743.4 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2020-11-20

公开号

CN112285521B

公开日

2021-07-27

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R31_26

IPC 分类号

G01R31_26

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件健康状态监测电力电子可靠性

应用场景

新能源发电, 电动汽车, 储能系统, 工业电机驱动, 轨道交通牵引

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摘要

本发明公开了一种自校正的IGBT健康监测方法，其包括以下步骤：S1、建立老化数据采集平台；S2、建立原始老化特征数据库；S3、获取目标IGBT在工作环境中的初始状态；S4、获取集电极与发射极间的电压差值；S5、生成校正参数函数；S6、校正原始老化特征数据库；S7、通过将目标IGBT的集电极与发射极间的电压与校正后的老化特征数据库中同工作条件下的集电极与发射极间的电压进行比较，完成IGBT的健康监测。本发明考虑了IGBT个体差异对于Vce,on测量值分析产生的影响，建立了具有校正补偿性的参数函数模型，提高了电力电子系统中对于IGBT参数分析的准确性，减小了由于个体差异引起误差提供了监测精度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种IGBT过流预警系统及方法

当前第 / 件

一种绝缘栅器件阈值电压的不停机测量方法

同领域国内专利 · IPC: (G01R31_26)

G01R31_00 G01R31_01 G01R31_02 G01R31_08 G01R31_11 G01R31_12 G01R31_14 G01R31_16 G01R31_18 G01R31_24 G01R31_26 G01R31_265 G01R31_28 G01R31_317 G01R31_3177 G01R31_3185 G01R31_327 G01R31_34 G01R31_36 G01R31_364 G01R31_367 G01R31_378 G01R31_379 G01R31_382 G01R31_3835 G01R31_3842 G01R31_385 G01R31_387 G01R31_388 G01R31_389 G01R31_392 G01R31_396 G01R31_40 G01R31_42 G01R31_44 G01R31_50 G01R31_52 G01R31_54 G01R31_55 G01R31_56 G01R31_58 G01R31_62 G01R31_64 G01R31_66 G01R31_67 G01R31_68 G01R31_69 G01R31_72 覆盖48个领域

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