发明专利已授权

一种高压低功耗的E/D基准电路

📄 申请号：CN202210584208.7 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2022-05-27

公开号

CN115047935B

公开日

2023-05-19

申请人

电子科技大学,电子科技大学广东电子信息工程研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F1_567

IPC 分类号

G05F1_567

技术画像

所属领域

模拟集成电路模拟集成电路基准电压源低功耗电路设计

应用场景

电源管理芯片, 模拟芯片设计, 消费电子, 工业控制, 汽车电子

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摘要

一种高压低功耗的E/D基准电路，它由启动偏置电路模块、E/D基准核心电路和修调电路模块三部分组成。启动偏置电路模块用于在电源电压建立时使E/D基准电路脱离错误的简并点，同时为基准核心电路中的共栅管提供电压偏置，保证基准的正常建立；E/D基准核心电路利用增强型NMOS管和耗尽型NMOS管的不同阈值电压产生与温度、电源电压无关的基准电压，具有较低的静态电流和良好的温度系数，且电路中使用了较多高压功率管，结合Cascode结构的电流偏置保证了基准能够在数十伏的高压输入下工作；由于在不同的工艺角下阈值电压的变化较大，因此该E/D基准包含了一个N‑bit的修调电路模块，保证了该基准电压在不同的工艺角下均具有良好的温度系数。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230519

✅ 授权

20220930

?? 实质审查的生效：

20220913

📄 公开

一种用于高压LDO的内部基准电源轨控制电路

当前第 / 件

一种具有二极管钳位载流子存储层的槽栅IGBT器件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：152 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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