发明专利 已授权

一种基于衬底二极管电流的宽温度范围的CMOS电压基准源

📄 申请号:CN202210828943.8 📄 发布日:2026/07/24

著录项目信息

申请日
2022-07-15
公开号
CN115185331A
公开日
2022-10-14
申请人
广州大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路设计, 电源管理, 传感器信号处理, 数据转换器, 温度补偿电路

摘要

本发明涉及集成电路设计技术领域,公开了一种基于衬底二极管电流的宽温度范围的CMOS电压基准源,其包括启动电路、具有对称双支路结构的电流源以及利用了衬底二极管电流的输出电路组成,其中,具有对称双支路结构的电流源能够产生一个与热电压成正比的偏置电流,该偏置电流灌入到利用了衬底二极管电流的输出电路中,从而得到宽温度范围内的基准电压。本发明通过设置偏置电流灌入,利用衬底二极管电流的输出电路,与温度成正比的热电压和与温度成反比的阈值电压相叠加,以实现第一次温度补偿,同时在高温时利用衬底二极管电流随温度极速增大的特性可以实现电路的第二次温度补偿,能够在低功耗的条件下能够得到一个宽温度范围的基准电压。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (G05F1_567)

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