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一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法

Name: 一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法
Brand: 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
SKU: 2022111574907
Availability: InStock

📄 申请号：CN202211157490.7 📄 发布日：2025/10/23

著录项目信息

申请日

2022-09-22

公开号

CN115473023B

公开日

2024-09-24

申请人

杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01P5_16

IPC 分类号

H01P5_16 , H01P3_18 , H01P11_00 ,

技术画像

所属领域

半模基片集成波导半模基片集成波导弱耦合耦合器微波无源器件

应用场景

无线通信, 雷达系统, 射频前端, 天线馈电网络, 微波测量

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摘要

本发明公开了一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法，包括介质基板，上下蚀刻金属层以及四个端口。上层金属层由四根弯折馈线，波导上表面以及金属过孔阵列组成。下层金属层作为接地面并设有金属过孔阵列。波导上表面使用金属过孔和蚀刻技术形成类分支半模波导耦合结构，实现了弱耦合的性能。在波导中央矩形区域两端蚀刻出两条短路短截线来改善耦合器的方向性特性。本发明采用一种新颖的类分支基片集成波导耦合结构实现了弱耦合耦合器，在同类型发明中具有优秀的宽带，平坦度和方向性特性。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN115473023B

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……

图1

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图3

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：157 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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