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本发明公开了基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导,由单向传输区域和拼接在单向传输区域左右两侧结构相同、方向相反的两个人工磁导体层组成;单向传输区域为电不透明介质‑磁化半导体结构,人工磁导体由方形金属棒在电介质背景中周期延拓并置于金属地板上的结构构成;人工磁导体可以替代理想磁导体边界条件支持三维单向传输;本发明提供的波导结构实现了太赫兹波段下基于磁表面等离子的三维单向传输,为此类二维单向波导拓展至三维单向波导提供了解决方案,在非互易器件小型化方面具有重大应用前景。
📄 2025103559646 📂 H01P3_18 👤 浙江工业大学 📅 2025-03-25
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发明 已授权

基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导

2025103559646 · 浙江工业大学
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SiC功率器件工艺专利

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钙钛矿光伏组件技术

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