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共 5 件在售专利
本发明揭示了一种双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器,该宽带滤波耦合器包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片,顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层,顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层,底层介质基片的下表面设置有底层金属层;顶层介质基片和底层介质基片上设置有一排金属化通孔,该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导,该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。本发明有很好的滤波效应,在不改变耦合器体积的前提下引入滤波响应,使得其应用在系统中时不需要插入额外滤波器,从而减小了整个系统的体积和插入损耗。
📄 2019100722937 📂 H01P5_16 👤 南京邮电大学 📅 2019-01-25
¥0.0 元
本发明公开了一种矩形贴片‑半模基片集成波导杂交型90度定向耦合器,为轴对称结构;包括矩形贴片、两个背靠背的半模基片集成波导、金属化通孔阵列、梯形渐变线、50欧姆微带线、激励端口、直通端口、耦合端口和隔离端口;其中,直通端口和耦合端口为半模基片集成波导端口,可直接与半模基片集成波导器件(比如半模基片集成波导天线)连接;激励端口和隔离端口为微带端口,可直接与有源电路或匹配负载连接,有利于提高系统集成度;而且该定向耦合器还具有结构紧凑和插入损耗低等优点。
📄 2020113197193 📂 H01P5_18 👤 杭州电子科技大学 📅 2020-11-23
¥0.0 元
本发明公开了一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法,包括介质基板,上下蚀刻金属层以及四个端口。上层金属层由四根弯折馈线,波导上表面以及金属过孔阵列组成。下层金属层作为接地面并设有金属过孔阵列。波导上表面使用金属过孔和蚀刻技术形成类分支半模波导耦合结构,实现了弱耦合的性能。在波导中央矩形区域两端蚀刻出两条短路短截线来改善耦合器的方向性特性。本发明采用一种新颖的类分支基片集成波导耦合结构实现了弱耦合耦合器,在同类型发明中具有优秀的宽带,平坦度和方向性特性。
📄 2022111574907 📂 H01P5_16 👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 📅 2022-09-22
¥0.0 元
本发明公开了一种内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器,滤波器包括半模基片集成波导,半模基片集成波导包括介质基板总成,介质基板总成包括第一金属层和与第一金属层相对设置的第二金属层,第一金属层和第二金属层通过多个金属通孔连接,多个金属通孔形成通孔阵列以使得介质基板总成内部形成基片集成导行电磁波结构,第一金属层上蚀刻有双内旋式开环谐振结构,双内旋式开环谐振结构包括对称设置的两个端点,两个端点同时向环内部螺旋延伸以使得双内旋式开环谐振结构的各个边部均至少包括2条蚀刻线。本发明所提供的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器,能够实现现有滤波器小型化的同时解决其工作频率固定不可调节的问题。
📄 2021103967134 📂 H01P1_201 👤 西华大学 📅 2021-04-13
¥0.0 元
本发明涉及一种基于慢波半模基片集成波导的小型化宽带移相器,属于射频微波技术领域。基于慢波半模基片集成波导的小型化宽带移相器,包括移相节和参考节;所述移相节包括介质基板一,介质基板的一个表面设有金属微带,另一个表面设有金属地;所述参考节包括介质基板二,介质基板的一个表面设有金属微带,另一个表面设有金属地;本发明所提出的基于慢波基片集成波导的小型化宽带移相器的有益效果在于,实现90°相移量,相较于传统全模基片集成波导,其横向尺寸降低一半,且传输特性不变。并且使用微带折线单元周期性加载于移相节上层金属表面,形成慢波结构,使得截止频率和相速度降低。通过灵活调节所加载慢波结构,从而达到宽带和小型化效果。
📄 2021112469072 📂 H01P1_18 👤 重庆邮电大学 📅 2021-10-26
¥0.0 元
发明 已授权

双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器

2019100722937 · 南京邮电大学
¥0.0 元
发明 已授权

矩形贴片-半模基片集成波导杂交型90度定向耦合器

2020113197193 · 杭州电子科技大学
¥0.0 元
发明 已授权

一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法

2022111574907 · 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
¥0.0 元
发明 已授权
发明 已授权

基于慢波半模基片集成波导的小型化宽带移相器

2021112469072 · 重庆邮电大学
¥0.0 元

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