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| 专利/申请号： | CN201510968504.7 | 专利名称： | 晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法 |
| 申请日： | 2015-12-22 | 申请/专利权人 | 西安交通大学苏州研究院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省苏州市工业园区仁爱路99号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L31/0224 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2016-04-06 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN105470319A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 半导体器件制造 太阳能电池技术 光伏能源专利转让搜索 |
应用场景：高效光伏组件生产;降低电阻损耗;提升光电转换效率;大规模工业化制造
摘 要：本发明公开了晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，首先在电池硅片背面印刷点接触图案形成局部接触的第一层铝电极，然后在其上制备钝化层，然后在钝化层上再印刷整面形状的导电用铝电极浆料形成第二层铝电极，最后进行烘干和高温烧结，高温烧结过程中第一次印刷的局部接触铝电极浆料同硅片反应生成点接触背电场，同时第一次印刷的铝电极浆料和第二次印刷的整面电极浆料在高温烧结的过程中同夹在其间的钝化层发生反应将其破坏，从而使得上下两层铝电极导通，形成金属导电接触，从而引出电池电流。本发明提供的制备方法，方法工艺简单，适用于大规模的晶体硅太阳能电池生产，不采用激光打孔，避免对硅片的损伤，适用于多晶硅太阳能电池。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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