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摘 要:本发明涉及金属薄膜技术领域,提供了一种镁纳米线薄膜的制备方法,本发明通过控制基底的倾斜角度和基底温度来控制纳米Mg薄膜的形貌。其中,当磁控溅射基底的倾斜角度为60°<α<89°,倾斜入射,沉积过程中,镁原子的扩散发生在磁控溅射束在膜表面上的投影的方向上,并且在平行于膜表面的方向上的扩散仅由入射角决定,可以使镁纳米线生长为直径均匀且镁纳米线分布均匀;当基底的温度为25~100℃时,能够得到分离良好的镁纳米线。实验结果表明,当基底温度为25℃,基底的倾斜角度为85°时,镁纳米线薄膜中镁纳米线分散良好,纳米线的直径为25~50nm,可以作为储氢固体材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110308343.4 | 专利名称: | 一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用 |
申请日: | 2021-03-23 | 申请/专利权人 | 徐州工程学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省徐州市云龙区丽水路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/35搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |