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一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法

Name: 一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法
Brand: 三明学院
SKU: 2021108816906
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110881690.6 📄 发布日：2026/06/22

著录项目信息

申请日

2021-08-02

公开号

CN113716518B

公开日

2024-11-22

申请人

三明学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B81C1_00

IPC 分类号

B81C1_00 , B81B7_02 ,

技术画像

所属领域

氮化镓半导体材料氮化镓半导体材料微机电系统（MEMS）半导体器件结构

应用场景

微机电系统, 传感器, 射频通信器件

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摘要

本发明涉及一种GaN同质悬臂梁的制备方法，包括以下制备步骤：获取本征GaN基底，在其上外延第一层GaN薄膜，第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区。在第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜。第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；支撑部和第一非故意掺杂区重合连接。通过湿法蚀刻将第一n型重掺杂区和第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留第一非故意掺杂区和第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的GaN同质悬臂梁结构。本发明的GaN同质悬臂梁结构的制备方法工艺简单、稳定性好、制备效率高、可靠性强，可制备尺寸误差0.1nm的微机电结构，可广泛应用于微机电系统。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113716518B

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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