发明专利 已授权

一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法

📄 申请号:CN202110531073.3 📄 发布日:2025/08/25

著录项目信息

申请日
2021-05-16
公开号
CN113221419A
公开日
2021-08-06
申请人
湖南城市学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电源转换, 新能源汽车, 工业电机驱动, 光伏逆变器, 消费电子电源

摘要

本发明涉及功率半导体器件技术领域,公开了一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法,旨在为TO封装功率半导体器件结构优化提供了实用的设计工具。该方法首先定义了待优化功率半导体器件的优化目标、设计变量和约束;其次,建立了有限元分析模型以分析器件中芯片的热应力和翘曲;再次,结合响应面技术,构建了两个结构优化模型,依次优化芯片结构尺寸和位置尺寸。与现有技术相比,该方法依次对芯片结构尺寸和位置尺寸实施优化,能够最小化芯片翘曲并满足热应力、芯片面积约束;步骤清晰,易于理解,可直接用于解决一般TO封装功率半导体器件的结构设计问题,具有良好的易用性和适用性。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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