专利名称：一种TOPCon底电池结构优化设计方法      申请号：202310028526X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：太阳能 结构优化设计   相似专利 发布日：2025/05/08  
摘要： 本发明公开一种适用于钙钛矿/TOPCon叠层电池的TOPCon底电池结构优化设计方法，TOPCon底电池结构优化设计主要包括以下三个核心步骤：S1：使用湿化学法碱刻蚀工艺对n型硅片进行厚度减薄和双面制绒；S2：促进硼扩散的深度，形成p++重掺杂硼发射极；S3：在丝网印刷金属电极时采用少主栅/无主栅设计工艺。本发明中TOPCon底电池结构优化设计有利于解决TOPCon电池作为钙钛矿/TOPCon叠层电池底电池时弱光响应和长波段光吸收差的问题，增加TOPCon底电池对光的吸收和利用，进而提高TOPCon底电池的短路电流密度和光电转换效率，为制备高性能钙钛矿/TOPCon叠层电池奠定良好的基础。

专利名称：一种切条机关键结构优化设计方法      申请号：2015102650850     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：机械制造 结构优化设计   相似专利 发布日：2025/05/08  
摘要： 本发明涉及一种切条机关键结构优化设计方法，步骤为：建立切条机的分析模型，通过ANSYS软件分析其动静刚度，发现切条机结构设计的薄弱环节；运用响应曲面分析方法，以质量最小为目标、第一阶固有频率和应力应变为约束条件、切条机上关键零件的敏感尺寸为设计变量，分析得到较优参考设计值；依据分析结果，修改切条机模型并进行其动静刚度分析，验证结构优化的合理性。本发明的优点在于：本发明改变了传统的切条机优化设计方法，改善了其动静刚度特性，降低结构设计和制造成本，提高切条机工作效率，可广泛应用于砖机辅助设备的结构优化设计。

专利名称：一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法      申请号：2021105310733     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 结构优化设计   相似专利 发布日：2025/08/25  
摘要： 本发明涉及功率半导体器件技术领域，公开了一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法，旨在为TO封装功率半导体器件结构优化提供了实用的设计工具。该方法首先定义了待优化功率半导体器件的优化目标、设计变量和约束；其次，建立了有限元分析模型以分析器件中芯片的热应力和翘曲；再次，结合响应面技术，构建了两个结构优化模型，依次优化芯片结构尺寸和位置尺寸。与现有技术相比，该方法依次对芯片结构尺寸和位置尺寸实施优化，能够最小化芯片翘曲并满足热应力、芯片面积约束；步骤清晰，易于理解，可直接用于解决一般TO封装功率半导体器件的结构设计问题，具有良好的易用性和适用性。

专利名称：一种金属氧化物半导体气体传感器结构优化设计方法      申请号：2019111593855     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 结构优化设计   相似专利 发布日：2025/08/25  
摘要： 本发明公开了一种微压传感器梁膜结构优化设计方法，旨在为高灵敏度、大量程的新型微压传感器的梁膜构型提供高效设计工具。本方法直接从通用压力传感器梁膜结构出发，构建基于拓扑优化的设计迭代过程，通过校核额定载荷下梁膜结构的最大挠度，更新拓扑优化模型中的体积约束条件，实现满足挠度设计要求前提下梁膜结构应力响应最大化。与常规方法比较，本方法无需提出梁膜结构的初始构型，整个优化过程基于现有有限元分析软件平台展开，大幅降低了对设计者工程经验、专业技能等方面的要求，具有优良的工程实用性。

专利名称：一种压缩式压电加速度计结构优化设计方法      申请号：2019111163414     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：传感器 结构优化设计   相似专利 发布日：2025/08/26  
摘要： 本发明涉及压电加速度计领域，公开了一种压缩式压电加速度计结构优化设计方法。本方法首先以压电加速度计的质量为设计目标，固有频率和电压敏感度为约束，基于敏感度分析选择设计变量，从而构建了加速度计结构优化模型，并求解得到初步解。其次，考虑工程中结构尺寸、材料参数涉及的不确定性，基于区间分析技术度量这些不确定性对性能的综合影响，并基于此改进了优化模型，得到了可靠的设计结果。本方法在保证加速度计在固有频率和电压敏感度等方面性能可靠度的前提下，有效降低结构质量，为高性能、高可靠度压缩式压电加速度计的优化提供了潜在设计工具；并且，本方法原理简单、操作简便，具有良好的工程实用性。

专利名称：一种压接式IGBT器件结构优化设计方法      申请号：2019111163240     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电力 结构优化设计   相似专利 发布日：2025/08/26  
摘要： 本发明涉及大功率半导体器件结构设计技术领域；公开了一种压接式IGBT器件结构优化设计方法，该方法包括以下处理步骤：基于待优化的压接式IGBT器件，选取设计目标；基于压接式IGBT器件，建立热力耦合有限元分析模型M0，进一步地选取耦合温度‑位移稳态求解器对有限元分析模型M0求解；基于各芯片的位置及应力值，建立应力平衡系数响应面；组成初始系数向量a(0)为初始点，构建优化模型并对其求解得到最优系数向量a*；基于最优平衡系数，构建银片设计方案。与现有技术相比，所提方法建立的结构优化模型，可基于现有有限元分析商业软件及经典的优化算法进行求解，从而避免了繁琐、复杂的编程过程，从而具有良好的工程易用性。