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本发明提出了一种用于悬臂梁型SOI‑MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法，是四电极电化学刻蚀方法在MEMS器件加工上的新应用，可以解决悬臂梁的释放和使用中出现的粘附问题。对悬臂梁型SOI‑MEMS器件进行释放后，采用选择性电化学刻蚀的方法对衬底层进行了刻蚀，而器件层不粗糙化处理，腐蚀埋藏氧化层的方法能增加电化学腐蚀处理层的粗糙度；电化学腐蚀后，释放HF蒸气的开关衬底层，开关的活动部分与基板的分离长度和间隙增大；随着粗糙度和间隙的增大，导致开关粘附的压力也大大增加。选择性电化学腐蚀可有效防止悬臂梁式开关或其他SOI‑MEMS器件的制造和使用中的粘附问题。

本发明公开了一种钴镍双金属羟基亚磷酸盐棒状晶体阵列薄膜及其制备方法。将六水合硝酸镍、六水合硝酸钴、次磷酸钠同溶于去离子水中,加入N,N‑二甲基乙酰胺;将预清洁的活性炭纤维浸在配制好的溶液中,在反应釜内以140℃~160℃条件下密封反应10 h~20 h;待反应釜自然冷却至常温,取出活性炭纤维,经无水乙醇、去离子水反复清洗,60℃干燥8 h,在活性炭纤维表面获得致密而均匀的M11(HPO3)8(OH)6(M=Ni+Co)棒状晶体阵列薄膜。本发明得到的棒状晶体阵列薄膜,制备方法简单、安全,并且阵列晶体均匀致密,具有稳定均一的表面性能,可在新型储能、催化、传感领域中应用。

本发明公开了一种基于旋转杆单元的负泊松比结构，包括多个旋转杆单元，多个旋转杆单元在平面内周期性排布组合，所述旋转杆单元包括两个柔顺曲梁单元、四根弯杆和两根直杆，所述两个柔顺曲梁单元连接在所述两根直杆之间，成对称分布，所述四根弯杆连接在所述两个柔顺曲梁单元上，成对称分布，左右相邻的旋转杆单元通过相对称的弯杆端部直接相连，上下相邻的旋转杆单元通过相对称的直杆端部直接相连。本发明提供的一种基于旋转杆单元的负泊松比结构简单、有效、可制备性好，具有应力集中力小，便于能量储存转化的优点。

本发明公开了一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜及其制备方法。制备方法主要包括以下步骤：首先以可溶性镍盐、可溶性钴盐、硒粉作为原料活性碳纤维布作为基底，通过水热法制备纳米针状镍钴双金属硒化物薄膜前驱体，然后在惰性气体的保护下对前驱体进行热处理，得到纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜。本发明公开的针状晶体阵列薄膜，制备方法具有工艺简单和易于操作的特点；镍钴双金属硒化物晶体薄膜通过低维阵列的端点与活性碳纤维布直接结合，有利于增加活性位点、提高材料的导电性和稳定性。纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜在储能和催化等领域有广阔的应用前景。

本发明公开了一种凹槽复合多凸起结构及其制备工艺。本发明的凹槽复合多凸起结构中包括衬底，还包括若干排列于所述衬底上的凹槽，以及若干复合在该凹槽表面的凸起，所述凹槽顶部的横向尺寸≤1um，每平方毫米的衬底上至少具有1×105个凹槽，每个凹槽表面复合的凸起的数量≥40个，凸起上邻近凹槽表面一端的横向尺寸≥60nm。本发明结构十分新颖，具有高光吸收能力和高SERS活性。