一种通过设置温度梯度制备自支撑氧化镓体块单晶的方法

摘     要：本发明公开了一种通过设置温度梯度制备自支撑氧化镓体块单晶的方法，将籽晶固定在HVPE生长系统的衬底并置于高温生长区，籽晶与NH3出气口距离为5~20cm，控制籽晶与氨气出气口的温度梯度；升温至所需温度，通入氯化氢与Ga反应生成氯化镓，运输至高温生长区，与氨气反应外延生长GaN，温度梯度为‑2~2℃，反应1~2h后停止通氯化氢，调整温度梯度为‑3~3℃/cm，高温退火，继续通氯化氢，GaN继续外延生长1‑2 h，调整温度梯度为‑3‑3℃/cm，保温1~2h，再次通氯化氢，GaN外延生长2~48h，关闭氯化氢，系统降至室温。本发明通过多温区控温形成不同温度梯度生长的方法，改变高温生长区的温度梯度，改变了生长GaN单晶的表面形貌及晶体质量，节省时间和生产成本，获得了自支撑GaN体块单晶。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注