咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN202210931301.0 | 专利名称： | 一种通过设置温度梯度制备自支撑氧化镓体块单晶的方法 |
| 申请日： | 2022-08-04 | 申请/专利权人 | 齐鲁工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市长清区大学路3501号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C30B29/16 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-09-30 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN115125617A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 57 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种通过设置温度梯度制备自支撑氧化镓体块单晶的方法，将籽晶固定在HVPE生长系统的衬底并置于高温生长区，籽晶与NH3出气口距离为5~20cm，控制籽晶与氨气出气口的温度梯度；升温至所需温度，通入氯化氢与Ga反应生成氯化镓，运输至高温生长区，与氨气反应外延生长GaN，温度梯度为‑2~2℃，反应1~2h后停止通氯化氢，调整温度梯度为‑3~3℃/cm，高温退火，继续通氯化氢，GaN继续外延生长1‑2 h，调整温度梯度为‑3‑3℃/cm，保温1~2h，再次通氯化氢，GaN外延生长2~48h，关闭氯化氢，系统降至室温。本发明通过多温区控温形成不同温度梯度生长的方法，改变高温生长区的温度梯度，改变了生长GaN单晶的表面形貌及晶体质量，节省时间和生产成本，获得了自支撑GaN体块单晶。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 201811325262X | 【发明】低温制备锆钛酸铅单晶的方法 | 2025/08/12 |
| 2021113918098 | 【发明】一种高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶的制备方法 | 2025/07/16 |
| 2021113177391 | 【发明】一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法 | 2025/07/16 |
| 2021114011995 | 【发明】一种高钛、高钒和高含水的紫苏辉石单晶的制备方法 | 2025/07/15 |
| 2016112424371 | 【发明】一种纳米硼酸锌晶须的制备方法及应用 | 2025/06/13 |
| 2015104049172 | 【发明】SiC纳米阵列 | 2025/06/09 |
| 2015104040125 | 【发明】调控SiC纳米阵列密度的方法 | 2025/06/09 |
| 2023107345609 | 【发明】一种极灵敏检测水相奥硝唑的发光晶体材料及其制备方法 | 2025/08/04 |
| 2019103552868 | 【发明】一种花色碳化硅宝石的制备方法 | 2025/05/08 |
| 2018108392822 | 【发明】一种以废镁碳砖基质料为原料制备氧化镁晶须的方法 | 2025/08/26 |
