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摘 要:一种4晶体管双向异或非门CMOS集成电路,该电路包含:第一N型MOS晶体管NMOS;第一P型MOS晶体管PMOS;第二N型MOS晶体管NMOS;第二P型MOS晶体管PMOS;信号输入端A;信号输入端B;电源电压VDD;XNOR逻辑门输出端;第一金属导线M;第二金属导线M;第三金属导线M;第四金属导线M;精简化的异或非XNOR逻辑门电路,使集成电路的集成度在同等工艺下进一步提升;在电源电压VDD与XNOR逻辑门输出端对调的情况下依然可以输出异或非逻辑,可实现双向异或非门逻辑传输功能,为拓展集成电路功能设计提供支持。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110786068.7 | 专利名称: | 4晶体管双向异或非门CMOS集成电路及使用和连接方法 |
申请日: | 2021-07-12 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K19/20搜分类 超大规模集成电路设计制造 异或非XNOR逻辑 数字逻辑电路 芯片 半导体 二值神经网络搜索 |
公开/公告日: | 2023-10-13 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113572471B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |