发明专利已授权

基于MOS管堆叠扩展结构的逻辑门电路

📄 申请号：CN202110525351.4 📄 发布日：2025/11/10

著录项目信息

申请日

2021-05-12

公开号

CN113395067B

公开日

2022-04-08

申请人

宁波大学科学技术学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H03K19_20

IPC 分类号

H03K19_20

技术画像

所属领域

逻辑门电路逻辑门电路 MOS晶体管电路集成电路设计

应用场景

数字电路设计, 芯片设计, 电子设备, 计算装置

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摘要

本发明公开了一种基于MOS管堆叠扩展结构的逻辑门电路，包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈NMOS堆叠模块和并联PMOS模块组，上拉网络包括n个并联的PMOS管，下拉网络由n个NMOS管串联构成，栅极反馈NMOS堆叠模块由n‑1个NMOS管构成，并联PMOS模块组由n‑1个结构不同的并联PMOS模块构成，其中第j个并联PMOS模块由j个PMOS管构成，下拉网络、栅极反馈NMOS堆叠模块和并联PMOS模块组构成的施密特触发电路；优点是在亚阈值区既具有较低的漏电流和延时，又具有较高的稳定性和可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220506

⏳ 专利权人的姓名或者名称、地址的变更：

20220408

✅ 授权

20211001

?? 实质审查的生效：

20210914

📄 公开

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