发明专利 已授权

基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元

📄 申请号:CN202110515215.7 📄 发布日:2025/11/10

著录项目信息

申请日
2021-05-12
公开号
CN113328741B
公开日
2022-03-29
申请人
宁波大学科学技术学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

低功耗芯片, 物联网终端, 可穿戴设备, 传感器节点, 边缘计算设备

摘要

本发明公开了一种基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元,包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组,上拉网络由n个PMOS管串联构成,具有n‑1个堆叠结点,下拉网络由n个NMOS管并联构成,栅极反馈PMOS堆叠模块由n‑1个PMOS管构成,并联NMOS模块组由n‑1个并联NMOS模块构成;优点是当栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组同时导通时,对n‑1个堆叠结点处电容放电,减少了上拉网络的漏电流,同时由于上拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组构成的施密特触发电路的迟滞特性,改善了电路的VTC曲线并增加了上拉网络的开关阈值,提升了稳定性与可靠性。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H03K19_20)

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