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摘 要:本实用新型提供一种电极结构复用的阻变存储器,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极,热导率低的绝缘介质层,阻变层,多个下电极层;其中下电极层与阻变层为欧姆接触,绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2,阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态,其中ETC<ET2,未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层,本实用新型得到很小的实际电极,解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时,不能够再次利用该电极的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
著 录 项:
专利/申请号: | CN201920523320.3 | 专利名称: | 一种电极结构复用的阻变存储器 |
申请日: | 2019-04-17 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 河南省开封市顺河区明伦街85号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 电子元器件 电极结构 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN210607332U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |